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IPW65R110CFD中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPW65R110CFD

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

文件大小

3.85934 Mbytes

页面数量

20

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-11-15 23:00:00

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IPW65R110CFD规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies.

特性 Features

• Ultra-fast body diode

• Very high commutation ruggedness

• Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss

• Easy to use/drive

​​​​​​​• Qualified for industrial grade applications according to JEDEC

(J-STD20 and JESD22)

• Pb-free plating, Halogen free mold compound

Applications

650V CoolMOS CFD2 is especially suitable for resonant switching PWM

stages for e.g. PC Silverbox, LCT TV, Lighting, Server, Telecom and Solar.

产品属性

  • 型号:

    IPW65R110CFD

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 650V 110mOhm

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
Infineon(英飞凌)
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