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IPW65R095C7中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书
IPW65R095C7规格书详情
描述 Description
英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步,在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装,并且得益于其低开关损耗,可在全负载范围内提高效率。
特性 Features
• 650V 电压
• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装
• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)
• 低栅极电荷Qg
• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间
• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验
优势:
• 提高安全裕度,适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用
• 低通态损耗/小封装
• 低开关损耗
• 提高轻载效率
• 增加功率密度
• 出色的CoolMOS™质量
应用 Application
• 通信
• 服务器
• 太阳能
• 计算机电源
技术参数
- 制造商编号
:IPW65R095C7
- 生产厂家
:Infineon
- OPN
:IPW65R095C7XKSA1
- Qualification
:Non-Automotive
- Package name
:PG-TO247-3
- VDS max
:650 V
- RDS (on) @10V max
:95 mΩ
- ID @25°C max
:24 A
- QG typ @10V
:45 nC
- Special Features
:highest performance
- Polarity
:N
- Operating Temperature min
:-55 °C
- VGS(th) min
:3 V
- VGS(th) max
:4 V
- Technology
:CoolMOS™ C7
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO247-3 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO247-3 |
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2508+ |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
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INFINEON/英飞凌 |
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Infineon |
24+ |
PG-TO247-3 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-247 |
14100 |
原装正品 |
询价 |