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IPU50R2K0CE中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPU50R2K0CE

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-11-20 8:41:00

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IPU50R2K0CE规格书详情

描述 Description

500V CoolMOS ™ CE 是一个性价比优化的平台,能够满足消费和照明市场中成本敏感的应用,同时仍能满足最高的效率标准。新系列具有快速开关超结 MOSFET 的所有优点,同时又不牺牲易用性,并提供了市场上最佳的成本性能比。

特性 Features

• 降低输出电容中存储的能量 (E oss)
• 高体二极管耐用性
• 降低反向恢复电荷 (Q rr )
• 减少栅极电荷 (Q g )

技术参数

  • 制造商编号

    :IPU50R2K0CE

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID max

    :2.4 A

  • IDpulsmax

    :6.1 A

  • Ptotmax

    :22 W

  • QG

    :6 nC

  • QG(typ @10V)

    :6 nC

  • RDS (on)max

    :2000 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :2000 mΩ

  • RthJAmax

    :62 K/W

  • RthJCmax

    :5.7 K/W

  • Rth

    :5.7 K/W

  • VDSmax

    :500 V

  • VGS(th)

    :2.5 V to 3.5 V

  • Mounting

    :THT

  • Package

    :IPAK (TO-251)

  • Operating Temperaturemin

    :-55 °C

  • Pin Count

    :3 Pins

  • Polarity

    :N

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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