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IPS70R600CE中文资料适用于消费电子和照明应用的最佳性价比超结 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPS70R600CE

功能描述

适用于消费电子和照明应用的最佳性价比超结 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:58:00

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IPS70R600CE规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ CE 是英飞凌市场领先的高电压功率 MOSFET 的技术平台,根据超结原理 (SJ) 设计,旨在满足消费者的需求。通过其扩展产品系列,英飞凌提供 600V、650V 和 700V 器件,旨在满足移动设备和电动工具、LCD、LED TV 和 LED 照明 应用对低功耗充电器的需求。

特性 Features

• 热性能
• 器件上 ≤ 90°C,开放型外壳
• ≤ 50°C/70°C 封闭外壳温度
• EMI 符合 EN55022B 标准
• 易用性和快速设计

优势:
• 从典型的 R Ds(开启)到标称之间较大裕度的低传导损耗
• 优化输出电容带来的低开关损耗 (E oss)
• 优化电磁干扰,以平衡开关速度和电磁干扰行为
• 集成 Rg 的良好控制性

应用 Application

• 低功耗充电器
• 适配器
• PC silverbox
• LCD 电视
• LED 改装
• LED 驱动器

技术参数

  • 制造商编号

    :IPS70R600CE

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :IPAK SL (TO-251 SL)

  • VDS max

    :700.0V

  • RDS (on) max

    :600.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :10.5A

  • Ptot max

    :86.0W

  • IDpuls max

    :18.0A

  • VGS(th) min max

    :2.5V 3.5V

  • QG 

    :22.0nC 

  • Rth 

    :1.45K/W 

  • RthJC max

    :1.45K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min max

    :-40.0°C 150.0°C

  • Pin Count 

    :3.0Pins 

  • Mounting 

    :THT

  • Qgd 

    :12.0nC 

  • Tj min max

    :-40.0°C 150.0°C

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