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BAS521	文件：194.12 Kbytes Page：11 Pages	Singlehigh-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedina SOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repe	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521	文件：89.74 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:max.50ns •HighReverseBreakdownVoltage:300V •LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage •TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) •HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3)	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521	文件：768.09 Kbytes Page：3 Pages	SwitchingDiodes ■Features ●Highswitchingspeed:trr≤50ns ●Highreversevoltage:VR≤300V ●Repetitivepeakforwardcurrent:IFRM≤1A ●High-speedswitching ●High-voltageswitching	KEXINGUANGDONG KEXIN INDUSTRIAL CO.,LTD 科信电子广东科信实业有限公司	KEXIN
BAS521	文件：114.07 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode Generaldescription Singlehigh-voltageswitchingdiode,fabricatedinplanartechnology,andencapsulatedinaSOD523(SC-79)ultrasmallSurface-MountedDevice(SMD)plasticpackage. Featuresandbenefits ■Highswitchingspeed:trr≤50ns ■Highreversevoltage:VR≤300V ■Repetitivepe	nxpNXP Semiconductors 恩智浦恩智浦半导体公司	nxp
BAS521	文件：59.77 Kbytes Page：8 Pages	Highvoltageswitchingdiode DESCRIPTION TheBAS521isahigh-voltageswitchingdiodefabricatedinplanartechnologyandencapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)plasticSMDpackage. FEATURES •Highswitchingspeed:max.50ns •Highcontinuousreversevoltage:300V •Repetitivepeakforwardcurrent:625mA •Ult	PhilipsROYAL PHILIPS 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
BAS521B	文件：199.64 Kbytes Page：11 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,inanultrasmallSOD523(SC-72)flatleadSurface-MountedDevice (SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Lowleakagecurrent:IR≤100nA •Highreversevoltage:VR≤200V •Lowcapacitanc	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521-HF	文件：526.94 Kbytes Page：4 Pages	SMDSwitchingDiodes	COMCHIPComchip Technology 典琦典琦科技股份有限公司	COMCHIP
BAS521LP	文件：90.12 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features •FastSwitchingSpeed:Maximumof50ns •HighReverseBreakdownVoltage:325V •LowLeakageCurrent:Maximumof50nAwhenVR=5Vor Maximumof150nAwhenVR=250VatRoomTemperature •UltraSmallPlasticSMDPackage:1.0mmx0.6mmx0.5mm •TotallyLead-Free&FullyRoHS	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521LP	文件：87.26 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521Q	文件：309.69 Kbytes Page：4 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE Features FastSwitchingSpeed:max.50ns HighReverseBreakdownVoltage:300V LowLeakageCurrent:100nAatroomtemperature UltraSmallPlasticSMDPackage TotallyLead-Free&FullyRoHSCompliant(Notes1&2) HalogenandAntimonyFree.“Green”Device(Note3) Qualifiedto	DIODESDiodes Incorporated 达尔科技	DIODES
BAS521-Q	文件：199.7 Kbytes Page：9 Pages	High-voltageswitchingdiode 1.Generaldescription High-voltageswitchingdiode,encapsulatedinanultrasmallSOD523(SC-79)flatleadSurface- MountedDevice(SMD)plasticpackage. 2.Featuresandbenefits •Highswitchingspeed:trr≤50ns •Highreversevoltage:VR≤300V •Repetitivepeakforwardcurrent:IFR	NEXPERIANexperia B.V. All rights reserved 安世安世半导体(中国)有限公司	NEXPERIA
BAS521V	文件：359.53 Kbytes Page：5 Pages	HIGHVOLTAGESWITCHINGDIODE	RECTRONRECTRON LTD 瑞创深圳市瑞创科技有限公司	RECTRON
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产品属性

产品编号：
IPS521G
制造商：
Infineon Technologies
类别：
集成电路（IC） > 配电开关，负载驱动器
包装：
管件
开关类型：
通用
输出数：
1
比率 - 输入：
1：1
输出配置：
高端
输出类型：
N 通道
接口：
开/关
电压 - 负载：
5.5V ~ 35V
电压 - 供电 (Vcc/Vdd)：
不需要
电流 - 输出（最大值）：
1.6A
导通电阻（典型值）：
80 毫欧
输入类型：
非反相
特性：
带有自动重启功能
故障保护：
限流（固定），开路负载检测，超温
工作温度：
-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
供应商器件封装：
8-SOIC
封装/外壳：
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
描述：
IC PWR SWITCH N-CHANNEL 1

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