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IPQC60R040S7中文资料英飞凌的 600 V SJ MOSFET 采用底部冷却封装，可最大限度地减少传导损耗，并实现器件的标准化冷却和安装数据手册Infineon规格书
IPQC60R040S7规格书详情
描述 Description
600 V CoolMOS ™ S7 SJ MOSFET 系列针对低传导损耗进行了优化，并且在紧凑型 SMD 封装的高压 SJ MOSFET 中具有市场上最低的 RDS(on)。它具有前所未有的 RDS(on) x 价格品质因数，非常适合固态断路器和继电器、PLC、电池保护以及大功率电源中的有源桥式整流。底部冷却封装可最大限度地减少传导损耗，并实现器件的标准化冷却和安装。
特性 Features
• 紧凑型底部冷却 QDPAK 封装
• 优化传导性能
• 提高热阻
• 高脉冲电流能力
• 用于高电流开关的开尔文源
•
技术参数
- 制造商编号
：IPQC60R040S7
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：207 A
- Ptotmax
：272 W
- QG
：83 nC
- QG(typ @10V)
：83 nC
- RDS (on)max
：40 mΩ
- VDSmax
：600 V
- VGS(th)
：4 V
- Mounting
：SMT
- Package
：Q-DPAK bottom-side cooled
- Operating Temperature
：-55 °C to 150 °C
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：3.36
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IP |
2018 |
模块 |
300 |
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询价 | ||
原厂 |
2023+ |
模块 |
600 |
专营模块,继电器,公司原装现货 |
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APEM |
23+ |
10000 |
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询价 | |||
APEMComponents |
新 |
5 |
全新原装 货期两周 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
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原厂封装 |
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Altera |
23+ |
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8000 |
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23+ |
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7000 |
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364 |
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询价 |
