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IPP90R1K2C3
厂商型号

IPP90R1K2C3

功能描述

CoolMOS??Power Transistor

文件大小

299.57 Kbytes

页面数量

10

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-27 20:00:00

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IPP90R1K2C3规格书详情

Features

• Lowest figure-of-merit RON x Qg

• Extreme dv/dt rated

• High peak current capability

• Qualified according to JEDEC1) for target applications

• Pb-free lead plating; RoHS compliant

• Ultra low gate charge

CoolMOS™ 900V is designed for:

• Quasi Resonant Flyback / Forward topologies

• PC Silverbox and consumer applications

• Industrial SMPS

产品属性

  • 型号:

    IPP90R1K2C3

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 900V 5.1A TO-220

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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