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IPP80P03P4-05数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPP80P03P4-05

功能描述

20V-650V汽车级MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-8 16:02:00

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IPP80P03P4-05规格书详情

特性 Features

• P 通道 - 正常电平 - 增强模式
• AEC 认证
• MSL1 峰值回流温度高达 260°C
• 175°C 的工作温度
• 环保封装(符合 RoHS)
• 100% 经过雪崩测试

优势:
• 高侧驱动无需电荷泵。
• 简单的接口驱动电路
• 30V 时, RDSon 为世界最低值
• 极高的冲击电流能力
• 极低的开关功耗和传导功率损耗,造就极高的热效率
• 稳固的封装,卓越的品质,高可靠性
• 标准封装 TO-252、TO-263、TO-220、TO-262

应用 Application

• 用于电机桥的高侧 MOSFET(半桥、H 桥、三相电机)
• 采用30V P 通道作为高侧器件,无需电荷泵即可实现桥配置
仿真/ SPICE-型号

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP80P03P4-05

  • 生产厂家

    :Infineon

  • VDS max

    :-30.0V

  • ID  max

    :-80.0A

  • RDS (on)(@10V) max

    :5.0mΩ

  • QG(typical) 

    :100.0nC 

  • VGS(th) min max

    :-2.0V -4.0V

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
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TO220
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Infineon(英飞凌)
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