丝印：65R110F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS( dependency over temperature

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集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

\n优势:\n• 出色的硬换向稳健性\n• 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度\n• 可实现更高的功率密度\n• 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率\n• 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率\n• 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力;

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650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

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