IPP65R110CFD7

丝印：65R110F7；Package：PG-TO220-3；650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device

Features •Ultra-fastbodydiode •650Vbreakdownvoltage •Best-in-classRDS(on) •Reducedswitchinglosses •LowRDS(dependencyovertemperature

IPP65R110CFD7

650V CoolMOS™ CFD7 超结 MOSFET 采用 TO-247 封装，集成快速体二极管，是谐振高功率拓扑结构的理想之选; \n优势:\n• 出色的硬换向稳健性\n• 总线电压提高，为设计提供额外安全裕度\n• 可实现更高的功率密度\n• 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中实现卓越轻载效率\n• 可在工业开关电源 (SMPS) 应用中提高满载效率\n• 相较于市面上的替代产品，价格更具竞争力\n;

IPB65R110CFD7

650VCoolMOS짧CFD7SJPowerDevice

IPW65R110CFD7

650VCoolMOS짧CFD7SJPowerDevice