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IPP65R060CFD7中文资料集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPP65R060CFD7

功能描述

集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-25 17:44:00

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IPP65R060CFD7规格书详情

描述 Description

英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPP65R060CFD7 采用 TO-220 封装,非常适合工业应用中的谐振拓扑,例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站,与竞争对手相比,它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品,它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷,可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。

特性 Features

• CoolMOS ™ 7 系列
• 低栅极电荷
• 低存储能量 COSS
• 低 Qrr
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

应用 Application

• 电动汽车充电

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP65R060CFD7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID (@25°C) max

    :36 A

  • IDpulsmax

    :146 A

  • Ptotmax

    :171 W

  • QG

    :68 nC

  • QG(typ @10V)

    :68 nC

  • RDS (on)max

    :60 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :60 mΩ

  • VDSmax

    :650 V

  • VGS(th)

    :4 V

  • Mounting

    :THT

  • Package

    :TO220

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :2.61

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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