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IPP60R280E6中文资料无锡固电数据手册PDF规格书
IPP60R280E6规格书详情
• DESCRIPTION
• Provide all benefits of a fast switching SJ MOSFET while not
sacrificing ease of use
• FEATURES
• Static drain-source on-resistance:
RDS(on) ≤0.28Ω
• Enhancement mode
• Fast Switching Speed
• 100 avalanche tested
• Minimum Lot-to-Lot variations for robust device
performance and reliable operation
产品属性
- 型号：
IPP60R280E6
- 功能描述：
MOSFET N-CH 650V 13.8A
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
NA/ |
500 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEO |
24+ |
TO220 |
80000 |
只做自己库存 全新原装进口正品假一赔百 可开13%增 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2450+ |
TO220 |
9850 |
只做原厂原装正品现货或订货假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
PG-TO220-3 |
19850 |
原装正品,假一赔十 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO220-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
INF |
2018+ |
TO220 |
25986 |
代理原装现货/特价热卖! |
询价 | ||
INF |
25+23+ |
TO-220 |
26866 |
绝对原装正品全新进口深圳现货 |
询价 | ||
Infineon |
原厂封装 |
9800 |
原装进口公司现货假一赔百 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO220-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
