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IPP111N15N3-G	文件：438.68 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3 Power-Transistor Features Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IIPP111N15N3	文件：338.64 Kbytes Page：2 Pages	N-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI111N15N3	文件：331.03 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IPI111N15N3G	文件：438.68 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOSTM3Power-TransistorFeaturesExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) Features •N-channel,normallevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant;Halogenfree •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •Idealforhigh-frequencyswitch	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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更多IPP111N15N3-G供应商更新时间2025-5-23 15:22:00

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