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IPU09N03LBG

OptiMOS짰2Power-Transistor

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

P09N03BDC

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

P09N03BDG

N-Channel30-V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

PJ09N03D

25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

PJD09N03

25VN-ChannelEnhancementModeMOSFET

FEATURES •RDS(ON),VGS@10V,IDS@30A=9mΩ •RDS(ON),VGS@4.5V,IDS@30A=12mΩ •Advancedtrenchprocesstechnology •HighDensityCellDesignForUitraLowOn-Resistance •SpeciallyDesignedforDC/DCConvertersandMotorDrivers •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent

PANJITPan Jit International Inc.

強茂強茂股份有限公司

详细参数

  • 型号:

    IPP09N03LA

  • 功能描述:

    MOSFET N-KANAL POWER MOS

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

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更多IPP09N03LA供应商 更新时间2025-7-25 9:53:00