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IPP075N15N3 G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPP075N15N3 G

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 19:03:00

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IPP075N15N3 G规格书详情

描述 Description

与排名第二的竞争对手相比,150V OptiMOS ™的 R DS(on) 降低了 40%,品质因数 (FOM) 降低了 45%。这一重大改进开辟了新的可能性,例如从引线封装转向 SMD 封装或用一个 OptiMOS ™部件有效地替换两个旧部件。

特性 Features

• 卓越的开关性能
• 低 Q g 和 Q gd
• 符合 RoHS 标准 - 无卤素
• MSL1 级

应用 Application

• 适用于智能电视的完整系统解决方案

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP075N15N3 G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Ciss

    :5470 pF

  • Coss

    :638 pF

  • Coss

    :638 pF

  • ID (@25°C) max

    :100 A

  • ID (@25°C) max

    :100 A

  • IDpulsmax

    :400 A

  • IDpulsmax

    :400 A

  • Ptotmax

    :300 W

  • Ptotmax

    :300 W

  • QG(typ @10V)

    :70 nC

  • QG(typ @10V)

    :70 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :7.5 mΩ

  • RDS (on)(@10V) max

    :7.5 mΩ

  • Rth

    :0.5 K/W

  • Rth

    :0.5 K/W

  • VDSmax

    :150 V

  • VDSmax

    :150 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Package

    :TO-220

  • VGS(th)

    :3 V

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Package

    :TO-220

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Budgetary Price €/1k

    :1.28

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :1.28

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