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IPP062NE7N3 G中文资料N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPP062NE7N3 G

功能描述

N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 11:06:00

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IPP062NE7N3 G规格书详情

描述 Description

75V OptiMOS™技术专注于同步整流应用。基于领先的80V技术,这些75V产品同时具有极低的导通电阻和出色的开关性能。

特性 Features

• 针对同步整流进行技术优化
• 优异的开关性能
• 世界较低的 (RDs(on))
• 极低的 Qg 和 Qgd
• 出色的栅极电荷 x R DS(on)产品(FOM)
• 符合 RohS - 无卤素
• MSL3 评级

优势:
• 环保
• 提高效率
• 极高的功率密度
• 减少所需的并联
• 极低的板空间消耗
• 产品易于设计

应用 Application

• AC-DC SMPS的同步整流
• 12–48V 系统的电机控制(即用于服务器的风扇、家用车辆、电动工具、卡车)
• 隔离式 DC-DC 转换器(通信和数据通信系统)
• 48V系统的开关和断路器
• D 类音频放大器

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP062NE7N3 G

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPP062NE7N3GXKSA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TO220-3

  • VDS max

    :75 V

  • RDS (on) @10V max

    :6.2 mΩ

  • ID @25°C max

    :80 A

  • QG typ @10V

    :42 nC

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-55 °C

  • Operating Temperature max

    :175 °C

  • Technology

    :OptiMOS™ 3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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