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IPP022N12NM6中文资料OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 TO-220 封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPP022N12NM6

功能描述

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 正常电平 120 V,采用 TO-220 封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-1 17:09:00

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IPP022N12NM6规格书详情

描述 Description

这是采用 TO-220 封装的正常级别 120 V MOSFET,导通电阻为 2.2 mOhm。IPP022N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性 Features

• 与 OptiMOS ™相比,该技术特点如下:
• RDS(on) 提高高达 40%
• FOMg
• Qrr 提高高达 50%

技术参数

  • 制造商编号

    :IPP022N12NM6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :812 A

  • QG(typ @10V)

    :113 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :2.2 mΩ

  • VDSmax

    :120 V

  • VGS(th)

    :3.1 V

  • Package

    :TO-220

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :2.48

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON/英飞凌
24+
TO220-3
990000
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Infineon
25+23+
TO-220
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Infineon(英飞凌)
23+
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原厂封装
9800
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24+
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Infineon(英飞凌)
24+
标准封装
7000
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品
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Infineon
23+
TO220-3
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Infineon(英飞凌)
23+
标准封装
7000
公司只做原装,可来电咨询
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ADI
23+
TO-220
7000
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