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IPP013N04NF2S数据手册分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF

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厂商型号

IPP013N04NF2S

参数属性

IPP013N04NF2S 包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:TRENCH PG-TO220-3

功能描述

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 40 V,采用 TO-220 封装
TRENCH PG-TO220-3

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-8-16 23:01:00

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IPP013N04NF2S规格书详情

描述 Description

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 40 V 具有 1.3 mOhm 的低 RDS(on),可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

特性 Features

• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊

简介

IPP013N04NF2S属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPP013N04NF2S晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。

技术参数

更多
  • 制造商编号

    :IPP013N04NF2S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :788 A

  • Ptotmax

    :250 W

  • QG(typ @10V)

    :159 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :1.3 mΩ

  • VDSmax

    :40 V

  • VGS(th)

    :2.8 V

  • Package

    :TO-220

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Pin Count

    :3 Pins

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :0.98

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