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IPN2M50T-H	文件：1.08039 Mbytes Page：25 Pages	3-phase inverters for small power motor drives	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
IPN2M50T-HL	文件：1.00369 Mbytes Page：23 Pages	Undervoltage lockout	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
ECP2M50	文件：2.4753 Mbytes Page：386 Pages	LatticeECP2/MFamilyDataSheet	LatticeLattice Semiconductor 莱迪思莱迪思半导体公司	Lattice
IPN2M50-H	文件：981.45 Kbytes Page：19 Pages	SLLIMM-nanoIPM,3-phaseinverter,2A,1.7Ωmax.,500VMOSFET Description ThisSLLIMM(smalllow-lossintelligentmoldedmodule)nanoprovidesacompact, high-performanceACmotordriveinasimple,ruggeddesign.Itiscomposedofsix MOSFETsandthreehalf-bridgeHVICsforgatedriving,providinglow electromagneticinterference(EMI)characteristicsw	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STIPN2M50-H	文件：981.45 Kbytes Page：19 Pages	SLLIMM-nanoIPM,3-phaseinverter,2A,1.7Ωmax.,500VMOSFET Description ThisSLLIMM(smalllow-lossintelligentmoldedmodule)nanoprovidesacompact, high-performanceACmotordriveinasimple,ruggeddesign.Itiscomposedofsix MOSFETsandthreehalf-bridgeHVICsforgatedriving,providinglow electromagneticinterference(EMI)characteristicsw	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STIPN2M50-H	文件：990.72 Kbytes Page：21 Pages	Undervoltagelockout	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STIPN2M50T-H	文件：1.08039 Mbytes Page：25 Pages	3-phaseinvertersforsmallpowermotordrives	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
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STIPNS2M50-H	文件：1.49195 Mbytes Page：20 Pages	SLLIMM-nanoIPM,3-phaseinverter,2A,1.7Ωmax.,500VMOSFET Features •IPM2A,500V,RDS(on)=1.7Ω,3-phaseMOSFETinverterbridgeincluding controlICsforgatedriving •Optimizedforlowelectromagneticinterference •3.3V,5V,15VCMOS/TTLinputcomparatorswithhysteresisandpull-down/ pull-upresistors •Undervoltagelockout •Internal	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS
STIPNS2M50T-H	文件：1.5186 Mbytes Page：23 Pages	SLLIMM-nanoIPM,3-phaseinverter,2A,1.7Ωmax.,500VMOSFET Features •IPM2A,500V,RDS(on)=1.7Ω,3-phaseMOSFETinverterbridgeincluding controlICsforgatedriving •Optimizedforlowelectromagneticinterference •3.3V,5V,15VCMOS/TTLinputcomparatorswithhysteresisandpull-down/ pull-upresistors •Undervoltagelockout •Internal	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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