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IPLK80R1K2P7中文资料采用 ThinPAK 5x6 封装的 800 V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET数据手册Infineon规格书

厂商型号 |
IPLK80R1K2P7 |
参数属性 | IPLK80R1K2P7 封装/外壳为8-PowerTDFN;包装为卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel® 得捷定制卷带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个;产品描述:MOSFET 800V TDSON-8 |
功能描述 | 采用 ThinPAK 5x6 封装的 800 V CoolMOS ™ P7 超结 MOSFET |
封装外壳 | 8-PowerTDFN |
制造商 | Infineon Infineon Technologies AG |
中文名称 | 英飞凌 英飞凌科技股份公司 |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-9-30 15:16:00 |
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IPLK80R1K2P7规格书详情
描述 Description
凭借 800 V CoolMOS™ P7 系列,英飞凌在 800 V 超结技术方面树立了基准,并将一流的性能与最先进的易用性相结合。坚固的栅极模块、体二极管以及快速简洁的开关特性使该产品系列成为基于反激式的消费类开关电源应用的理想之选。它还适用于消费类PFC平台、太阳能、适配器、音频、照明应用。
特性 Features
• CoolMOS ™ 7 系列
• COSS中的低存储能量
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™
简介
IPLK80R1K2P7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由制造生产的IPLK80R1K2P7晶体管 - FET,MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用,它们具有高频开关特性,同时又能承载大电流,使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用,如果超出该额定电压值,则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
技术参数
更多- 制造商编号
:IPLK80R1K2P7
- 生产厂家
:Infineon
- ID max
:4.5 A
- IDpulsmax
:11 A
- Ptotmax
:43 W
- QG(typ @10V)
:11 nC
- QG
:11 nC
- RDS (on)(@10V) max
:1200 mΩ
- RDS (on)max
:1200 mΩ
- VDSmax
:800 V
- VGS(th)
:3 V
- Mounting
:SMT
- Package
:Thin-PAK 5x6
- Operating Temperature
:-55 °C to 150 °C
- Pin Count
:8 Pins
- Polarity
:N
- Budgetary Price €/1k
:0.4
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon/英飞凌 |
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INFINEON |
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24+ |
原装 |
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INFINEON/英飞凌 |
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