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IPLK80R1K2P7分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
IPLK80R1K2P7 |
| 参数属性 | IPLK80R1K2P7 封装/外壳为8-PowerTDFN；包装为卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个；产品描述：MOSFET 800V TDSON-8 |
| 功能描述 | 800V CoolMOSª P7 Power Device |
| 丝印标识 | |
| 封装外壳 | SMD / 8-PowerTDFN |
| 文件大小 |
1.81556 Mbytes |
| 页面数量 |
13 页 |
| 生产厂商 | Infineon Technologies AG |
| 企业简称 |
INFINEON【英飞凌】 |
| 中文名称 | 英飞凌科技股份公司官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-8-2 23:00:00 |
| 人工找货 | IPLK80R1K2P7价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
IPLK80R1K2P7规格书详情
IPLK80R1K2P7属于分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-单个。由英飞凌科技股份公司制造生产的IPLK80R1K2P7晶体管 - FET，MOSFET - 单个分立式场效应晶体管 (FET) 广泛用于功率转换、电机控制、固态照明及其他应用，它们具有高频开关特性，同时又能承载大电流，使其在这些应用中具备一定优势。这类晶体管广泛应用于要求额定电压为几百伏或更低的应用，如果超出该额定电压值，则 IGBT 等其他器件更具竞争力。
特性 Features
• Best-in-class FOM RDS(on) * Eoss; reduced Qg, Ciss, and Coss
• Best-in-class DPAK RDS(on)
• Best-in-class V(GS)th of 3V and smallest V(GS)th variation of ±0.5V
• Integrated Zener Diode ESD protection
• Fully optimized portfolio
产品属性
更多- 产品编号：
IPLK80R1K2P7ATMA1
- 制造商：
Infineon Technologies
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
- 系列：
CoolMOS™ P7
- 包装：
卷带（TR）剪切带（CT）Digi-Reel® 得捷定制卷带
- 技术：
MOSFET（金属氧化物）
- 安装类型：
表面贴装型
- 供应商器件封装：
PG-TDSON-8
- 封装/外壳：
8-PowerTDFN
- 描述：
MOSFET 800V TDSON-8
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
23+ |
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8000 |
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INFINEON |
23+ |
PG-TDSON-8 |
7000 |
询价 | |||
Infineon Technologies |
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原装 |
5000 |
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