650V CoolMOS??C7 Power Transistor

Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Features • Increased MOSFET dv/dt ruggedness • Better efficiency due to best in class FOMRDS(on)*Eoss and RDS(on)*Qg

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丝印：65R130F7；Package：PG-VSON-4；650V CoolMOS짧 CFD7 SJ Power Device

MOSFET 650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device The latest 650 V CoolMOS™ CFD7 extends the voltage class offering of the CFD7 family and is a successor to the 650 V CoolMOS™ CFD2. Resulting from improved switching performance and excellent thermal behavior, 650 V CooMOS™ CFD7 offers highest efficie

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500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

英飞凌的 CoolMOS™ C7 超结 MOSFET 系列是技术的一次突破性进步，在全球范围内实现了低 RDS(on)/封装，并且得益于其低开关损耗，可在全负载范围内提高效率。 • 650V 电压\n• 具有突破性且出色的R DS(on)/封装\n• 减少储存在输出电容中的能量 (Eoss)\n• 低栅极电荷Qg\n• 通过使用更小的封装或减少零部件节省空间\n• 在超结技术领域拥有 12 年的制造经验\n\n优势:\n• 提高安全裕度，适用于 SMPS 和太阳能逆变器应用\n• 低通态损耗/小封装\n• 低开关损耗\n• 提高轻载效率\n• 增加功率密度\n• 出色的CoolMOS™质量;

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集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择

\n优势:\n• Excellent hard-commutation ruggedness\n• Extra safety margin for designs with increased bus voltage\n• Enabling increased power density\n• Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications\n• Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications\n• Price competitiven;

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