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IPL65R065CFD7	文件：1.24596 Mbytes Page：14 Pages	丝印：65R065F7；Package：PG-VSON-4；650V CoolMOSª CFD7 SJ Power Device Features • Ultra-fast body diode • 650V break down voltage • Best-in-class RDS(on) • Reduced switching losses • Low RDS(on) dependency over temperature 文件：1.24596 Mbytes 页数：14 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON
IPL65R065CFD7	文件：300 bytes Page：1 Pages	集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择 \n优势:\n• Excellent hard-commutation ruggedness\n• Extra safety margin for designs with increased bus voltage\n• Enabling increased power density\n• Outstanding light-load efficiency in industrial SMPS applications\n• Improved full-load efficiency in industrial SMPS applications\n• Price competitiven;	Infineon 英飞凌	Infineon
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更多IPL65R065CFD7供应商更新时间2024-2-29 11:17:00