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IPL60R650P6S中文资料500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPL60R650P6S

功能描述

500 V-950 V CoolMOS™ N 沟道功率 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-22 23:01:00

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IPL60R650P6S规格书详情

描述 Description

新型 CoolMOS™ ThinPAK 5x6 是一款专为高压 MOSFET 设计的无引脚 SMD 封装。这款新封装的尺寸非常小,仅为 5x6mm2,外形非常薄,高度仅为 1mm。
这种显著减小的封装尺寸与其基准低寄生电感相结合,是有效减小功率密度驱动设计中系统解决方案尺寸的新方法。ThinPAK 5x6 封装的特点是源电感非常低,仅为 1.6nH,并具有与 DPAK 相似的热性能。
因此,该封装有助于更快、更高效地开关功率 MOSFET,并且在开关行为和电磁干扰方面,处理起来更容易。

特性 Features

• 小封装尺寸 (5x6mm²)
• 纤薄外形 (1mm)
• 低寄生电感
• RoHS 认证
• 无卤化合物

优势:
• 降低板空间消耗
• 增加功率密度
• 短整流回路
• 产品使用简便
• 环保

应用 Application

• 适配器
• 消费品
• 照明

技术参数

  • 制造商编号

    :IPL60R650P6S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • OPN

    :IPL60R650P6SATMA1

  • Qualification

    :Non-Automotive

  • Package name

    :PG-TSON-8

  • VDS max

    :600 V

  • RDS (on) @10V max

    :650 mΩ

  • ID @25°C max

    :6.7 A

  • QG typ @10V

    :12 nC

  • Special Features

    :price/performance

  • Polarity

    :N

  • Operating Temperature min

    :-40 °C

  • VGS(th) min

    :3.5 V

  • VGS(th) max

    :4.5 V

  • Technology

    :CoolMOS™ P6

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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