首页>IPF050N10NF2S>规格书详情
IPF050N10NF2S中文资料StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，采用 D²PAK 7 引脚封装数据手册Infineon规格书
IPF050N10NF2S规格书详情
描述 Description
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 5 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。
特性 Features
• 可从分销合作伙伴处获取
• 适用于高和低开关频率
• 高额定电流
技术参数
- 制造商编号
：IPF050N10NF2S
- 生产厂家
：Infineon
- IDpulsmax
：468 A
- Ptotmax
：150 W
- QG(typ @10V)
：51 nC
- RDS (on)(@10V) max
：5.05 mΩ
- VDSmax
：100 V
- VGS(th)
：3 V
- Package
：D2PAK 7pin (TO-263 7pin)
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Polarity
：N
- Battery voltage
：48-72 V
- Budgetary Price €/1k
：0.82
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
I |
23+ |
TO-252 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
INFINEON |
2023+ |
TO-252 |
50000 |
原装现货 |
询价 | ||
INFINEON |
23+ |
TO-252 |
8000 |
只做原装现货 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
25+ |
封装 |
500000 |
源自原厂成本,高价回收工厂呆滞 |
询价 | ||
INFINEON |
50 |
询价 | |||||
INFINEON |
24+ |
con |
30 |
现货常备产品原装可到京北通宇商城查价格 |
询价 | ||
Infineon |
24+ |
PG-TO263-7 |
9000 |
只做原装正品 有挂有货 假一赔十 |
询价 | ||
INFINEON |
24+ |
TO-252 |
36800 |
询价 | |||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
TO-252-3-23 |
18000 |
原装正品 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
10280 |
原厂授权代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源！ |
询价 |
