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IPF023N08NF2S中文资料StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V,采用 D²PAK 7 引脚封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPF023N08NF2S

功能描述

StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 80 V,采用 D²PAK 7 引脚封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 16:30:00

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IPF023N08NF2S规格书详情

描述 Description

英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 80 V 具有 2.3 mOhm 的低 RDS(on),可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。

特性 Features

• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流

技术参数

  • 制造商编号

    :IPF023N08NF2S

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpulsmax

    :836 A

  • Ptotmax

    :214 W

  • QG(typ @10V)

    :89 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :2.3 mΩ

  • VDSmax

    :80 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Package

    :D2PAK 7pin (TO-263 7pin)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

  • Battery voltage

    :36-48 V

  • Budgetary Price €/1k

    :1.34

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
INFINEON
24+
ReverseDPAK(Revers
8866
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Infineon
24+
PG-TO263-7
9000
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