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IPDH6N03LA	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS® 2 Power-Transistor; • Ideal for high-frequency dc/dc converters\n• Qualified according to JEDEC1) for target application\n• N-channel, logic level\n• Excellent gate charge x RDS(on)product (FOM)\n• Superior thermal resistance\n• 175 °C operating temperature\n• Pb-free lead plating; RoHS compliant; OptiMOS® 2 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LA	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPDH6N03LA_08	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS Power-Transistor Feature Enhancement mode Logic Level Avalanche rated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPFH6N03LAG	文件：542.47 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOSPower-TransistorFeatureEnhancementmodeLogicLevelAvalancherated	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
IPFH6N03LAG	文件：418.15 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor OptiMOS®2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplat	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPSH6N03LB	文件：312.01 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

详细参数

型号：
IPDH6N03
功能描述：
MOSFET N-CH 25V 50A TO252-3-11
RoHS：
否
类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
系列：
OptiMOS™
标准包装：
1,000
系列：
MESH OVERLAY™ FET
型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
特点：
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
最大：
40W
安装类型：
通孔
封装/外壳：
TO-220-3 整包
供应商设备封装：
TO-220FP
包装：
管件

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