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IPDH5N03LA	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS®2 Power-Transistor;	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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MMSF5N03HD	文件：268.51 Kbytes Page：10 Pages	N-ChannelPowerMOSFET	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
MMSF5N03HD	文件：294.79 Kbytes Page：10 Pages	SINGLETMOSPOWERMOSFET5.0AMPERES30VOLTS MediumPowerSurfaceMountProducts TMOSSingleN-ChannelFieldEffectTransistors MiniMOS™devicesareanadvancedseriesofpowerMOSFETswhichutilizeMotorola’sHighCellDensityHDTMOSprocess.TheseminiaturesurfacemountMOSFETsfeatureultralowRDS(on)andtruelogiclevelperformance.	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉加尔文制造公司	Motorola
SSM5N03FE	文件：136.8 Kbytes Page：5 Pages	High-SpeedSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝	TOSHIBA
WFY5N03	文件：493.56 Kbytes Page：9 Pages	N-Channel30-V(D-S)MOSFET FEATURES •Halogen-freeAccordingtoIEC61249-2-21 Definition •TrenchFET®PowerMOSFET •100RgTested •ComplianttoRoHSDirective2002/95/EC APPLICATIONS •DC/DCConverter	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
WFY5N03	文件：385.32 Kbytes Page：5 Pages	30VN?묬hannelMOSFET	WinsemiShenzhen Wenxian Microelectronics Co., Ltd 稳先微电子深圳市稳先微电子有限公司	Winsemi

详细参数

型号：
IPDH5N03
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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