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IPD80N06S3-09中文资料英飞凌数据手册PDF规格书
产品属性
- 型号：
IPD80N06S3-09
- 功能描述：
MOSFET OPTIMOS-T N-CH 55V 80A 8.4mOhms
- RoHS：
否
- 制造商：
STMicroelectronics
- 晶体管极性：
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压：
650 V
- 闸/源击穿电压：
25 V
- 漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
- RDS（导通）：
0.014 Ohms
- 配置：
Single
- 安装风格：
Through Hole
- 封装/箱体：
Max247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
VBsemi |
21+ |
TO252 |
10065 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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Infineon(英飞凌) |
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N/A |
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INFINEON |
24+ |
PG-TO252-3D-PAK(TO |
8866 |
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INENOI |
23+ |
SOT252 |
10065 |
原装正品,有挂有货,假一赔十 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
7000 |
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Infineon(英飞凌) |
24+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
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I |
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TO-252 |
25000 |
只做原装进口现货,专注配单 |
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