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IPD60R1K4C6BTMA1

600V CoolMOS C6 Power Transistor IPD60R1K4C6

Description CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the superjunction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. Features • Extremely low losses due to very low FOM Rdson^Qg and Eoss • Very high commutation ruggedness • Easy to

文件:1.31004 Mbytes 页数:14 Pages

Infineon

英飞凌

IPD60R280P7S

Infineon
QFN

Infineon

英飞凌

上传:深圳市维尔达电子有限公司

IPD60R280P7S

英飞凌
N/A

英飞凌

IPD60R400CE

INFINEON/英飞凌
TO252

INFINEON/英飞凌

上传:深圳市赛特兴科技有限公司

INFINEON/英飞凌

IPD60R400CE

INFINEON
TO-252

Infineon

英飞凌

上传:深圳市华高宇电子有限公司

详细参数

  • 型号:

    IPD60R1K4C6BTMA1

  • 制造商:

    Infineon Technologies AG

  • 功能描述:

    Trans MOSFET N-CH 650V 3.2A 3-Pin(2+Tab) TO-252

  • 功能描述:

    COOL MOS - Tape and Reel

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 3.2A TO252-3

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更多IPD60R1K4C6BTMA1供应商 更新时间2025-10-6 14:07:00