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IPD50R399CP数据手册Infineon中文资料规格书

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厂商型号

IPD50R399CP

功能描述

500V-900V CoolMOS™ N-Channel Power MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-8-5 23:01:00

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IPD50R399CP规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ CP 是英飞凌第五个 CoolMOS™ 系列产品,专门设计用于 ATX、笔记本适配器 PDP 和 LCD 电视的软硬开关拓扑、CCM PFC 以及 PWM。
 

特性 Features

• 极低的 R on x Q g 品质因数
• 极低的栅极电荷
• 极端 dv/dt 额定值
• 极低的 R DS(on),超低的栅极电压,极快速开关
• V th 为 3 V,g fs 极高,内部 R g 非常低
• 高电流能力
• 显著减少传导和开关损耗
• 高功率密度和效率,实现更高功率转换系统
• 出色性价/性能比

优势:

应用 Application

• 太阳能
• 服务器
• 通信
• 消费品
• 适配器
• 计算机电源

技术参数

  • 制造商编号

    :IPD50R399CP

  • 生产厂家

    :Infineon

  • Package 

    :DPAK (TO-252)

  • VDS max

    :500.0V

  • RDS (on) max

    :399.0mΩ

  • Polarity 

    :N

  • ID  max

    :9.0A

  • Ptot max

    :83.0W

  • IDpuls max

    :20.0A

  • VGS(th) min max

    :2.5V 3.5V

  • QG 

    :13.0nC 

  • Rth 

    :1.9K/W 

  • RthJC max

    :1.5K/W

  • RthJA max

    :62.0K/W

  • Operating Temperature min

    :-55.0°C 

  • Pin Count 

    :3.0Pins 

  • Mounting 

    :SMT

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