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IPD160N04LG	文件：234.66 Kbytes Page：9 Pages	OptiMOS3 Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技公司	Infineon
NP160N04TDG	文件：297.12 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP160N04TDG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP160N04TUG	文件：287.7 Kbytes Page：8 Pages	SWITCHINGN-CHANNELPOWERMOSFET FEATURES •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.6mΩTYP./2.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) •HighCurrentRating ID(DC)=±160A	NECRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	NEC
NP160N04TUG	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP160N04TUJ	文件：203.5 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP160N04TUJisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Lowon-stateresistance ⎯RDS(on)=2.0mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) •LowCiss:Ciss=6900pFTYP.(VDS=25V,VGS=0V) •Designedforautomotiveappli	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP160N04TUJ	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP160N04TUK	文件：912.08 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Features ･Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.5mMAX.(VGS=10V,ID=80A) ･LowCissCiss=7200pFTYP.(VDS=25V) ･DesignedforautomotiveapplicationandAEC-Q101qualified	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP160N04TUK	文件：5.67799 Mbytes Page：6 Pages	ProductScoutAutomotive	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
NP160N04TUK	文件：235.68 Kbytes Page：8 Pages	MOSFIELDEFFECTTRANSISTOR Description TheNP160N04TUKisN-channelMOSFieldEffectTransistordesignedforhighcurrentswitchingapplications. Features •Superlowon-stateresistance RDS(on)=1.5mΩMAX.(VGS=10V,ID=80A) •LowCiss:Ciss=7200pFTYP.(VDS=25V) •Designedforautomotiveapplicat	RENESASRenesas Electronics America 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS

详细参数

型号：
IPD160N04L
制造商：
Infineon Technologies AG
制造商：
Rochester Electronics LLC

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