IPD135N03中文资料友台半导体数据手册PDF规格书
IPD135N03规格书详情
特性 Features
* Fast switching MOSFET for SMPS
* Optimized technology for DC/DC converters
* Excellent gate charge x Rps on) product (FOM)
* Very low on-resistance Rpson)
* Avalanche rated
产品属性
- 型号：
IPD135N03
- 功能描述：
MOSFET N-CH 30V 30A TO252-3
- RoHS：
是
- 类别：
分离式半导体产品 >> FET - 单
- 系列：
OptiMOS™
- 标准包装：
1,000
- 系列：
MESH OVERLAY™ FET
- 型：
MOSFET N 通道，金属氧化物 FET
- 特点：
逻辑电平门
- 漏极至源极电压(Vdss)：
200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°
- C：
18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25°
- C：
180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的
- Vgs(th)（最大）：
4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @
- Vgs：
72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @
- Vds：
1560pF @ 25V 功率 -
- 最大：
40W
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3 整包
- 供应商设备封装：
TO-220FP
- 包装：
管件
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
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询价 | ||
INFINE0N |
新年份 |
TO-252 |
33288 |
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询价 | ||
INFINEON |
20+ |
TO252-3 |
36900 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
25+ |
PG-TO252-3 |
25000 |
原装正品,假一赔十! |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
原厂原装现货订货价格优势终端BOM表可配单提供样品 |
询价 | ||
INFINEON |
2016+ |
TO252 |
6000 |
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询价 | ||
INFINEON |
23+ |
NA |
122 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
INFINE0N |
21+ |
DPAK (TO-252) |
32568 |
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询价 | ||
INF |
25+23+ |
TO-252 |
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询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 |
