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IPD10N03LA	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	丝印：10N03LA；Package：TO-252-3-11；OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：403.13 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD10N03LA	文件：412.96 Kbytes Page：11 Pages	丝印：10N03LA；Package：TO-252-3-11；OptiMOS2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：412.96 Kbytes 页数：11 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD10N03LAG	文件：403.13 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2 Power-Transistor Features • Ideal for high-frequency dc/dc converters • Qualified according to JEDEC1) for target application • N-channel, logic level • Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM) • Superior thermal resistance • 175 °C operating temperature • Pb-free lead plating; RoHS compliant 文件：403.13 Kbytes 页数：12 Pages	Infineon 英飞凌	Infineon
IPD10N03LA	文件：300 bytes Page：1 Pages	OptiMOS2 Power-Transistor	Infineon 英飞凌	Infineon

详细参数

型号：
IPD10N03L
功能描述：
MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V
RoHS：
否
制造商：
STMicroelectronics
晶体管极性：
N-Channel
汲极/源极击穿电压：
650 V
闸/源击穿电压：
25 V
漏极连续电流：
130 A 电阻汲极/源极
RDS（导通）：
0.014 Ohms
配置：
Single
安装风格：
Through Hole
封装/箱体：
Max247
封装：
Tube

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更多IPD10N03L供应商更新时间2025-11-9 11:04:00

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