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IPD09N03LBG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:411.11 Kbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IPD09N03LBG

OptiMOS짰2 Power-Transistor

文件:343.23 Kbytes 页数:12 Pages

Infineon

英飞凌

IPD09N03LB G

MOSFET N-CH 30V 50A DPAK

Infineon

英飞凌

IPD09N03LBG

OptiMOS®2 Power-Transistor

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPD09N03LB

  • 功能描述:

    MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
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TO252-3
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INFINEON/英飞凌
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TO-252D-PAK
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更多IPD09N03LB供应商 更新时间2025-11-25 16:30:00