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IPD09N03LBG	文件：343.23 Kbytes Page：12 Pages	OptiMOS짰2Power-Transistor	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPF09N03LA	文件：434.12 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPI09N03LA	文件：347.27 Kbytes Page：10 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Type:IPB09N03LAG Package:PG-TO263-3-2 Marking:09N03LA •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDECfortargetapplications •N-channel-Logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Verylowon-resistanceRDS(on) •Superiorthe	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon
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IPS09N03LA	文件：434.12 Kbytes Page：11 Pages	OptiMOS2Power-Transistor Features •Idealforhigh-frequencydc/dcconverters •QualifiedaccordingtoJEDEC1)fortargetapplication •N-channel,logiclevel •ExcellentgatechargexRDS(on)product(FOM) •Superiorthermalresistance •175°Coperatingtemperature •Pb-freeleadplating;RoHScompliant	InfineonInfineon Technologies AG 英飞凌英飞凌科技股份公司	Infineon

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