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IPD052N10NF2S中文资料StrongIRFET ™ 2 单 N 沟道功率 MOSFET 100 V，DPAK 封装数据手册Infineon规格书
IPD052N10NF2S规格书详情
描述 Description
英飞凌的 StrongIRFET ™ 2 功率 MOSFET 100 V 具有 5.2 mOhm 的低 RDS(on)，可满足从低开关频率到高开关频率的广泛应用。与之前的技术相比，IPD052N10NF2S 的 RDS(on) 降低了 40%，Qg 提高了 50% 以上。
特性 Features
• 可从分销合作伙伴处获取
• 卓越的性价比
• 适用于高和低开关频率
• 行业标准尺寸封装
• 高额定电流
• 可进行波峰焊
技术参数
- 制造商编号
：IPD052N10NF2S
- 生产厂家
：Infineon
- ID max
：118 A
- IDpulsmax
：472 A
- Ptotmax
：150 W
- QG(typ @10V)
：51 nC
- RDS (on)max
：5.2 mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：5.2 mΩ
- VDSmax
：100 V
- VGS(th)
：3 V
- Mounting
：SMD
- Package
：DPAK (TO-252)
- Operating Temperature
：-55 °C to 175 °C
- Pin Count
：3 Pins
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：0.66
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
IR |
24+ |
NA/ |
12250 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
22+ |
SOT-252 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
Infineon |
23+ |
PG-TO252-3 |
15500 |
英飞凌优势渠道全系列在售 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
252 |
17+ |
7500 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
Infineon |
20+ |
原装 |
65790 |
原装优势主营型号-可开原型号增税票 |
询价 | ||
Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO252-3 |
30000 |
原装正品公司现货,假一赔十! |
询价 | ||
INFINEON |
TO-252 |
7562 |
一级代理 原装正品假一罚十 价格优势 实单带接受价 |
询价 | |||
Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO252-3 |
6820 |
只做原装,质量保证 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
NA |
20094 |
正纳10年以上分销经验原装进口正品做服务做口碑有支持 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-252 |
2500 |
专营IR 英飞凌 支持含税 |
询价 |
