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IPD047N03LF2S中文资料英飞凌数据手册PDF规格书

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厂商型号

IPD047N03LF2S

功能描述

MOSFET StrongIRFET™ 2 Power‑Transistor, 30 V

丝印标识

047N03F2

封装外壳

PG-TO252-3

文件大小

949.99 Kbytes

页面数量

13

生产厂商

Infineon

中文名称

英飞凌

网址

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数据手册

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更新时间

2025-10-11 23:00:00

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IPD047N03LF2S规格书详情

特性 Features

• Optimized for a wide range of applications

• N‑channel, logic level

• 100% avalanche tested

• 175°C rated

• Pb‑free lead plating; RoHS compliant

• Halogen‑free according to IEC61249‑2‑21

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