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IPB95R450PFD7中文资料采用 TO-263 封装的 950 V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB95R450PFD7

功能描述

采用 TO-263 封装的 950 V CoolMOS ™ PFD7 超结 MOSFET

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-30 16:54:00

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IPB95R450PFD7规格书详情

描述 Description

PFD7,专为实现超高功率密度和最高效率设计。这些产品主要用于 PFC 和 LLC/LCC 拓扑结构的消费类和工业用开关电源应用。与 CoolMOS™ C3 相比,950 V CoolMOS™ PFD7 的 Qg 降低了 60%(从而降低了驱动损耗、提高了轻载和满载效率),还配备一个快速且坚固的体二极管。

特性 Features

• CoolMOS ™ 7 系列
• 低栅极电荷
• 低存储能量 COSS
• 低 Qrr
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™

技术参数

  • 制造商编号

    :IPB95R450PFD7

  • 生产厂家

    :Infineon

  • ID (@25°C) max

    :13.3 A

  • IDpulsmax

    :43 A

  • Ptotmax

    :104 W

  • QG(typ @10V)

    :43 nC

  • QG

    :43 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :450 mΩ

  • RDS (on)max

    :450 mΩ

  • VDSmax

    :950 V

  • VGS(th)

    :3 V

  • Mounting

    :SMT

  • Package

    :D2PAK

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 150 °C

  • Polarity

    :N

  • Budgetary Price €/1k

    :1.07

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