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IPB65R110CFD7中文资料集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择数据手册Infineon规格书
IPB65R110CFD7规格书详情
描述 Description
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R110CFD7 采用 D2PAK 封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。
特性 Features
• CoolMOS ™ 7 系列
• 低存储能量 COSS
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™
应用 Application
• DIN 导轨电源解决方案
技术参数
- 制造商编号
：IPB65R110CFD7
- 生产厂家
：Infineon
- ID (@25°C) max
：22 A
- IDpulsmax
：82 A
- Ptotmax
：114 W
- QG
：41 nC
- QG(typ @10V)
：41 nC
- RDS (on)max
：110 mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：110 mΩ
- VDSmax
：650 V
- VGS(th)
：4 V
- Mounting
：SMT
- Package
：D2PAK
- Operating Temperature
：-55 °C to 150 °C
- Pin Count
：3 Pins
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：1.58
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
TO263 |
7350 |
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INFINEON |
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Infineon/英飞凌 |
24+ |
PG-TO263-3 |
30000 |
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INFINEON/英飞凌 |
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PG-TO263-3 |
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INFINEON/英飞凌 |
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INFINEO |
25+23+ |
TO-263 |
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Infineon/英飞凌 |
21+ |
PG-TO263-3 |
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Infineon/英飞凌 |
25+ |
原厂封装 |
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Infineon(英飞凌) |
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INFINEON |
25+ |
TO-263 |
4000 |
原厂原装,价格优势 |
询价 |
