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IPB65R041CFD7中文资料集成快速体二极管的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET 是谐振高功率拓扑的完美选择数据手册Infineon规格书
IPB65R041CFD7规格书详情
描述 Description
英飞凌的 650V CoolMOS ™ CFD7 超结 MOSFET IPB65R041CFD7 采用 D2PAK 封装，非常适合工业应用中的谐振拓扑，例如服务器、电信、太阳能和电动汽车充电站，与竞争对手相比，它可以显著提高效率。作为 CFD2 SJ MOSFET 系列的后续产品，它具有降低的栅极电荷、改善的关断行为和降低的反向恢复电荷，可实现最高的效率和功率密度以及额外的 50V 击穿电压。
特性 Features
• CoolMOS ™ 7 系列
• 低栅极电荷
• 低存储能量 COSS
• 低 Qrr
• 经过现场验证的 CoolMOS ™质量
• 自 1998 年以来的 CoolMOS ™
应用 Application
• 多旋翼飞机和无人机
技术参数
- 制造商编号
：IPB65R041CFD7
- 生产厂家
：Infineon
- ID (@25°C) max
：50 A
- IDpulsmax
：211 A
- Ptotmax
：227 W
- QG
：102 nC
- QG(typ @10V)
：102 nC
- RDS (on)max
：41 mΩ
- RDS (on)(@10V) max
：41 mΩ
- VDSmax
：650 V
- VGS(th)
：4 V
- Mounting
：SMT
- Package
：D2PAK
- Operating Temperature
：-55 °C to 150 °C
- Pin Count
：3 Pins
- Polarity
：N
- Budgetary Price €/1k
：3.68
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
INFINEON/英飞凌 |
20+ |
SOT-263 |
2800 |
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询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
TO-263 |
3000 |
原装/现货/假一罚十 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
24+ |
BGA |
9600 |
原装现货,优势供应,支持实单! |
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INFINEON/英飞凌 |
23+ |
TO263 |
11220 |
英飞凌优势原装IC,高效BOM配单。 |
询价 | ||
INFINEON |
21+ |
TO-263 |
10000 |
原装现货假一罚十 |
询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
7000 |
公司只做原装，可来电咨询 |
询价 | ||
INFINEON/英飞凌 |
2511 |
TO263-3 |
360000 |
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Infineon |
24+ |
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3000 |
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询价 | ||
INFINEON |
SOT-263 |
22+ |
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询价 | ||
Infineon(英飞凌) |
23+ |
标准封装 |
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询价 |
