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IPB50CN10NG_INFINEON/英飞凌_OptiMOS2 Power-Transistor勤思达二部
- 详细信息
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产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:IPB50CN10NG
- 生产厂家
:英飞凌
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:100V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:20A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:50 毫欧 @ 20A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:4V @ 20µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:16nC @ 10V
- Vgs(最大值)
:±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:1090pF @ 50V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:44W(Tc)
- 工作温度
:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:PG-TO263-3-2
- 封装/外壳
:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
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