| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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IRPG-TO263-3 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
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INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
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深圳市特莱科技有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2 |
6812 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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InfineonTO-263 |
6200 |
17+ |
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深圳市特顺芯科技有限公司15年
留言
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INFINEONTO-263 |
200000 |
00+ |
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深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
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INFINEONTO-263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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INFINEONTO-263 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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SIEMENSTO-263 |
11000 |
19+ |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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INFINEON/英飞凌D2PAK(TO-263) |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司13年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
16000 |
2020+ |
原装正品现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司2年
留言
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INFINEON/英飞凌TO-263 |
10000 |
22+ |
只做原装，支持实单 |
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深圳市航宇科工半导体有限公司2年
留言
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Infineon/英飞凌P-TO263-3-2 |
18000 |
2105+ |
原装正品 |
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中科国际电子(深圳)有限公司2年
留言
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Infineon(英飞凌)NA |
7000 |
22+ |
原厂原装现货 |
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京海半导体(深圳)有限公司3年
留言
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VBPG-TO263-3 |
10000 |
21+ |
原装现货假一罚十 |
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深圳市亿顺芯科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263 |
57550 |
2022+ |
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深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
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INFINEONTO-263 |
6200 |
17+ |
100%原装正品现货 |
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深圳和润天下电子科技有限公司5年
留言
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INFINEON/英飞凌TO263-3-2 |
23798 |
22+ |
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瀚佳科技(深圳)有限公司6年
留言
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infineonTO-263 |
16800 |
2020+ |
绝对原装进口现货,假一赔十,价格优势!? |
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深圳市凌旭科技有限公司12年
留言
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INFINEONTO-263 |
2600 |
2016+ |
只做原装,假一罚十,公司可开17%增值税发票! |
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深圳市盈宏半导体科技有限公司13年
留言
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INFINEONTO-263 |
820 |
00+ |
刚到现货加微13425146986 |
IPB10N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB10N03图片
IPB10N03L中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB10N03L制造商:Infineon Technologies AG
IPB10N03LB功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB10N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB10N03LBG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB10N03LBGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB10N03LBNT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
