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IPB100N06S3L-03

OptiMOS짰-T Power-Transistor

文件:156.39 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

IPB100N06S3L-03

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:197.79 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPB100N06S3L-03_07

OptiMOS-T2 Power-Transistor

文件:197.79 Kbytes 页数:9 Pages

Infineon

英飞凌

IPB100N06S3L-04

OptiMOS-T Power-Transistor

文件:166.6 Kbytes 页数:8 Pages

Infineon

英飞凌

IPB100N06S3L-03

MOSFET N-CH 55V 100A TO263-3-2

Infineon

英飞凌

IPB100N06S3L-04

MOSFET N-CH 55V 100A TO-263

Infineon

英飞凌

详细参数

  • 型号:

    IPB100N06S3L-0

  • 功能描述:

    MOSFET TRANS MOSFET N-CH 55V 100A

  • RoHS:

  • 制造商:

    STMicroelectronics

  • 晶体管极性:

    N-Channel

  • 汲极/源极击穿电压:

    650 V

  • 闸/源击穿电压:

    25 V

  • 漏极连续电流:

    130 A 电阻汲极/源极

  • RDS(导通):

    0.014 Ohms

  • 配置:

    Single

  • 安装风格:

    Through Hole

  • 封装/箱体:

    Max247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
INFINEON/英飞凌
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PG-TO263-3D2-PAK(TO2
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INFINEON/英飞凌
23+
TO-263
50000
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更多IPB100N06S3L-0供应商 更新时间2025-10-30 14:00:00