共有1条记录
IPB072N15N3GE818XT采购信息快速发布,第一时间取得供应商价格!
IPB072N15N3GE818XT图片
IPB072N15N3GE818XT中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB072N15N3GE818XT功能描述:MOSFET OptiMOS 3 Power Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube