| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
深圳市科恒伟业电子有限公司7年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO263 |
9800 |
21+ |
只做原装正品假一赔十!正规渠道订货! |
|||
|
深圳市坤融电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO-263 |
5000 |
2024+实力库存 |
只做原厂渠道 可追溯货源 |
|||
|
深圳市芯祺盛科技有限公司11年
留言
|
INFINEONTO-263 |
10053 |
2105+ |
||||
|
深圳市向鸿伟业电子有限公司12年
留言
|
IFNTO-263 |
4475 |
2405+ |
只做原装正品渠道订货 |
|||
|
深圳市明盛嘉电子科技有限公司3年
留言
|
INFINEON/英飞凌PG-TO263-3 |
5000 |
21+ |
原装现货/假一赔十/支持第三方检验 |
|||
|
深圳市英科美电子有限公司9年
留言
|
INFINEON/英飞凌SOT-263 |
17426 |
2021+ |
原装进口假一罚十 |
|||
|
深圳市特莱科技有限公司6年
留言
|
INFINEON/英飞凌P-TO263-3-2 |
5805 |
21+23+ |
16年电子元件现货供应商 终端BOM表可配单提供样品 |
|||
|
深圳市恒创达实业有限公司11年
留言
|
InfineonTO-263 |
6200 |
17+ |
||||
|
深圳市科恒伟业电子有限公司10年
留言
|
INFINEONTO263 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
|||
|
深圳市一线半导体有限公司15年
留言
|
INFINEONTO-263 |
200000 |
00+ |
||||
|
深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
|
INFINEONTO263 |
8000 |
22+ |
终端可免费供样,支持BOM配单 |
|||
|
深圳市安富世纪电子有限公司4年
留言
|
INFINEONTO263 |
8000 |
23+ |
只做原装现货 |
|||
|
深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
|
Infineon(英飞凌)标准封装 |
7098 |
23+ |
原厂渠道供应,大量现货,原型号开票。 |
|||
|
深圳市芯为科技有限公司5年
留言
|
infineonP-TO263-3-2 |
16800 |
2023+ |
芯为只有原装,公司现货 |
|||
|
深圳市赛美科科技有限公司9年
留言
|
INFINEROHS |
56520 |
一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货 |
||||
|
贸泽芯城（深圳）电子科技有限公司5年
留言
|
INFINEON/英飞凌TO263 |
28888 |
21+ROHS |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
|||
|
深圳市浩宇伟业电子有限公司12年
留言
|
infineon |
35000 |
22+ |
OEM工厂,中国区10年优质供应商! |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
INFINE0NTO-263 |
11846 |
23+ |
一级代理商现货批发,原装正品,假一罚十 |
|||
|
深圳市华来深电子有限公司11年
留言
|
InfineoTO-263 |
8560 |
23+ |
受权代理!全新原装现货特价热卖! |
|||
|
深圳宇航军工半导体有限公司11年
留言
|
INFINEONSOT252 |
74292 |
19+ |
原厂代理渠道,每一颗芯片都可追溯原厂； |
IPB06N03采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
IPB06N03图片
IPB06N03LA价格
IPB06N03LA价格：￥6.2687品牌：Infineon
生产厂家品牌为Infineon的IPB06N03LA多少钱，想知道IPB06N03LA价格是多少？参考价：￥6.2687。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，IPB06N03LA批发价格及采购报价，IPB06N03LA销售排行榜及行情走势，IPB06N03LA报价。
IPB06N03LA中文资料Alldatasheet PDF
更多IPB06N03LA功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB06N03LA G功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB06N03LAG制造商:INFINEON 制造商全称:Infineon Technologies AG 功能描述:OptiMOS㈢2 Power-Transistor
IPB06N03LAGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB06N03LANT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 25V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
IPB06N03LAT功能描述:MOSFET N-CH 25V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB06N03LB功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK RoHS:否 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB06N03LB G功能描述:MOSFET N-CH 30V 50A D2PAK RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> FET - 单 系列:OptiMOS™ 标准包装:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss):200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:18A 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫欧 @ 9A，10V Id 时的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安装类型:通孔 封装/外壳:TO-220-3 整包 供应商设备封装:TO-220FP 包装:管件
IPB06N03LBG功能描述:MOSFET N-Channel MOSFET 20-200V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
IPB06N03LBGXT制造商:Infineon Technologies AG 功能描述:Trans MOSFET N-CH 30V 50A 3-Pin(2+Tab) TO-263
