| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
- 厂家型号：
IPB041N04NG
- 产品分类：
IC芯片
- 生产厂商：
INFINE0N
- 库存数量：
11846
- 产品封装：
TO-263
- 生产批号：
23+
- 库存类型：
- 更新时间：
2025-11-15 16:47:00
首页>IPB041N04NG>详情
IPB041N04NG_INFINE0N_OptiMOS?3 Power-Transistor华来深电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
：IPB041N04NG
- 生产厂家
：英飞凌
- 技术
：MOSFET（金属氧化物）
- 漏源电压（Vdss）
：40V
- 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）
：80A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）
：10V
- 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值）
：4.1 毫欧 @ 80A，10V
- 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）
：4V @ 45µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值）
：56nC @ 10V
- Vgs（最大值）
：±20V
- 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）
：4500pF @ 20V
- FET 功能
：-
- 功率耗散（最大值）
：94W（Tc）
- 工作温度
：-55°C ~ 175°C（TJ）
- 安装类型
：表面贴装
- 供应商器件封装
：D²PAK（TO-263AB）
- 封装/外壳
：TO-263-3，D²Pak（2 引线 + 接片），TO-263AB
供应商
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