| 订购数量 | 价格 |
|---|---|
| 1+ |
首页>IPB041N04NG>芯片详情
IPB041N04NG_INFINEON/英飞凌_Trans MOSFET N-CH 40V 80A 3-Pin(2+Tab) TO-263中联芯电子
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 制造商编号
:IPB041N04NG
- 生产厂家
:英飞凌
- 技术
:MOSFET(金属氧化物)
- 漏源电压(Vdss)
:40V
- 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)
:80A(Tc)
- 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)
:10V
- 不同 Id,Vgs 时的 Rds On(最大值)
:4.1 毫欧 @ 80A,10V
- 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)
:4V @ 45µA
- 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)(最大值)
:56nC @ 10V
- Vgs(最大值)
:±20V
- 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)
:4500pF @ 20V
- FET 功能
:-
- 功率耗散(最大值)
:94W(Tc)
- 工作温度
:-55°C ~ 175°C(TJ)
- 安装类型
:表面贴装
- 供应商器件封装
:D²PAK(TO-263AB)
- 封装/外壳
:TO-263-3,D²Pak(2 引线 + 接片),TO-263AB
供应商
相近型号
- IPB03N04CA
- IPB03N03LBT
- IPB042N03LG
- IPB03N03LBNT
- IPB042N03LGATMA1
- IPB03N03LBGXT
- IPB042N03LGXT
- IPB03N03LBG
- IPB03N03LB
- IPB03N03LANT
- IPB042N10N
- IPB03N03LAGXT
- IPB042N10N3
- IPB03N03LAGTO-263
- IPB042N10N30G
- IPB03N03LAG
- IPB042N10N3G
- IPB03N03LA
- IPB03N03L
- IPB042N10N3G042N10N
- IP-B03-CY
- IPB042N10N3GATMA1
- IP-B03-CX
- IPB042N10N3GE8187
- IPB039N10N3GIC
- IPB042N10N3GE818XT
- IPB039N10N3GE818XT
- IPB042N10N3GIC
- IPB039N10N3GE8187
- IPB039N10N3GATMA1
- IPB042N10N3GXT
- IPB039N10N3GATMA
- IPB039N10N3-G
- IPB039N10N3G
- IPB042N10N3SOP
- IPB039N10N3
- IPB042N10NF2S
- IPB042N10NF2SATMA1
- IPB039N04LGXT
- IPB043N10NF2S
- IPB039N04LGS
- IPB043N10NF2SATMA1
- IPB039N04LGATMA1
- IPB044N15N5
- IPB039N04LG
- IPB044N15N5ATMA1
- IPB039N04L
- IPB038N15NM6
- IPB044N15N5G
- IPB045N10N



