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IPB035N12NM6中文资料OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET,正常电平 120 V,采用 D²PAK 3 引脚封装数据手册Infineon规格书
IPB035N12NM6规格书详情
描述 Description
这是 D²PAK 3 针封装的正常级别 120 V MOSFET,导通电阻为 3.5 mOhm。IPB035N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。
特性 Features
• 与 OptiMOS ™相比,该技术特点如下:
• RDS(on) 提高高达 40%
• FOMg
• Qrr 提高高达 50%
技术参数
- 制造商编号
:IPB035N12NM6
- 生产厂家
:Infineon
- QG(typ @10V)
:58 nC
- RDS (on)(@10V) max
:3.5 mΩ
- VDSmax
:120 V
- VGS(th)
:3.1 V
- Package
:D2PAK (TO-263)
- Operating Temperature
:-55 °C to 175 °C
- Polarity
:N
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
Infineon(英飞凌) |
24+ |
NA/ |
8735 |
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询价 | ||
三年内 |
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INFINEON/英飞凌 |
25+ |
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INFINEON |
25+ |
SOT263 |
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INFINEON |
25+23+ |
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Infineon(英飞凌) |
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标准封装 |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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Infineon(英飞凌) |
23+ |
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Infineon/英飞凌 |
25+ |
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