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IPB035N12NM6中文资料OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET,正常电平 120 V,采用 D²PAK 3 引脚封装数据手册Infineon规格书

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厂商型号

IPB035N12NM6

功能描述

OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET,正常电平 120 V,采用 D²PAK 3 引脚封装

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-9-23 22:59:00

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IPB035N12NM6规格书详情

描述 Description

这是 D²PAK 3 针封装的正常级别 120 V MOSFET,导通电阻为 3.5 mOhm。IPB035N12NM6 是英飞凌 OptiMOS ™ 6 功率 MOSFET 系列的一部分。

特性 Features

• 与 OptiMOS ™相比,该技术特点如下:
• RDS(on) 提高高达 40%
• FOMg
• Qrr 提高高达 50%

技术参数

  • 制造商编号

    :IPB035N12NM6

  • 生产厂家

    :Infineon

  • QG(typ @10V)

    :58 nC

  • RDS (on)(@10V) max

    :3.5 mΩ

  • VDSmax

    :120 V

  • VGS(th)

    :3.1 V

  • Package

    :D2PAK (TO-263)

  • Operating Temperature

    :-55 °C to 175 °C

  • Polarity

    :N

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