订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>IPB025N08N3>芯片详情
IPB025N08N3_AD/亚德诺_MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A安富世纪二部
- 详细信息
- 规格书下载
产品属性
- 类型
描述
- 型号:
IPB025N08N3
- 功能描述:
MOSFET OptiMOS 3 PWR TRANST 80V 120A
- RoHS:
否
- 制造商:
STMicroelectronics
- 晶体管极性:
N-Channel
- 汲极/源极击穿电压:
650 V
- 闸/源击穿电压:
25 V
- 漏极连续电流:
130 A 电阻汲极/源极
- RDS(导通):
0.014 Ohms
- 配置:
Single
- 安装风格:
Through Hole
- 封装/箱体:
Max247
- 封装:
Tube
供应商
- 企业:
深圳市安富世纪电子有限公司
- 商铺:
- 联系人:
赵妍
- 手机:
18100277303
- 询价:
- 电话:
0755-23991454
- 地址:
深圳市福田区华强北路1019号华强广场A栋17E
相近型号
- IPB024N08NF2S
- IPB024N08N5ATMA1
- IPB025N08N3GHF
- IPB024N08N5
- IPB024N06N3G
- IPB025N08N3GXT
- IPB024N04NG
- IPB024N04N3G
- IPB023NE7N3G023NE7N
- IPB025N10N
- IPB023N06N3GXT
- IPB025N10N3
- IPB023N06N3GATMA1
- IPB025N10N3G
- IPB023N06N3G
- IPB025N10N3G(TOKMAS)
- IPB023N06N3
- IPB025N10N3G025N10N
- IPB023N06N
- IPB025N10N3GATMA1
- IPB023N04NGXT
- IPB025N10N3GE8187
- IPB023N04NGATMA1
- IPB025N10N3GE818XT
- IPB023N04NG
- IPB023N04NF2SATMA1
- IPB023N04NF2S
- IPB026N06N
- IPB023N04N
- IPB026N06N(026N06N)
- IPB022N12NM6
- IPB026N06N3G026N06N
- IPB022N04LGXT
- IPB026N06NATMA1
- IPB026N06NIC
- IPB022N04LGIC
- IPB022N04LGATMA1
- IPB022N04LG
- IPB026N10NF2S
- IPB022N04L
- IPB026N10NF2SATMA1
- IPB027N10N
- IPB021N06N3GXT
- IPB027N10N3
- IPB021N06N3GATMA1
- IPB027N10N3_G
- IPB021N06N3G
- IPB027N10N3G
- IPB021N06N3
- IPB027N10N3G(UMW)