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IPA60R520C6
厂商型号

IPA60R520C6

功能描述

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor

丝印标识

6R520C6

封装外壳

PG-TO220FullPAK

文件大小

1.11337 Mbytes

页面数量

17

生产厂商 Infineon Technologies AG
企业简称

INFINEON英飞凌

中文名称

英飞凌科技股份公司官网

原厂标识
INFINEON
数据手册

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更新时间

2025-8-2 20:00:00

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IPA60R520C6规格书详情

描述 Description

CoolMOS™ is a revolutionary technology for high voltage power

MOSFETS, designed according to the superjunction (SJ) principle

and pioneered by Infineon Technologies. CoolMOSTM C6 series

combines the experience of the leading SJ MOSFET supplier with

high class innovation. The offered devices provide all benefits of a

fast switching SJ MOSFET while not sacrificing ease of use.

Extremely low switching and conduction losses make switching

applications even more efficient, more compact, lighter, and cooler.

特性 Features

Extremely low losses due to very low FOM Rdson*Qg and Eoss

Very high commutation ruggedness

Easy to use/drive

JEDEC¹) qualified, Pb-free plating

产品属性

  • 型号:

    IPA60R520C6

  • 功能描述:

    MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220-FP

  • RoHS:

  • 类别:

    分离式半导体产品 >> FET - 单

  • 系列:

    CoolMOS™

  • 标准包装:

    1,000

  • 系列:

    MESH OVERLAY™ FET

  • 型:

    MOSFET N 通道,金属氧化物 FET

  • 特点:

    逻辑电平门

  • 漏极至源极电压(Vdss):

    200V 电流 - 连续漏极(Id) @ 25°

  • C:

    18A 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25°

  • C:

    180 毫欧 @ 9A,10V Id 时的

  • Vgs(th)(最大):

    4V @ 250µA 闸电荷(Qg) @

  • Vgs:

    72nC @ 10V 输入电容(Ciss) @

  • Vds:

    1560pF @ 25V 功率 -

  • 最大:

    40W

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3 整包

  • 供应商设备封装:

    TO-220FP

  • 包装:

    管件

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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